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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.470997
500
¥0.346324
1000
¥0.288599
2000
¥0.26477
5000
¥0.247453
10000
¥0.230183
15000
¥0.222618
50000
¥0.218893
ON Semiconductor NSVMMUN2137LT1G
- 收藏
- 对比
NSVMMUN2137LT1G
1807-NSVMMUN2137LT1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVMMUN2137LT1G详情
ON Semiconductor NSVMMUN2137LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
246mW
功率 - 最大
246mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)
47 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
22 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVMMUN2137LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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