ON Semiconductor NSVMMUN2212LT1G/H
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NSVMMUN2212LT1G/H
1807-NSVMMUN2212LT1G/H
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
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大陆
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
1最小包装量--
NSVMMUN2212LT1G/H详情
ON Semiconductor NSVMMUN2212LT1G/H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Transistor Polarity
NPN
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
功率耗散
400
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
连续集电极电流
100
NSVMMUN2212LT1G/H拓展信息
ON Semiconductor
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