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NSVMMUN2231LT1G
NSVMMUN2231LT1G

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ON Semiconductor NSVMMUN2231LT1G

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型号

NSVMMUN2231LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMMUN2231LT1G

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

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NSVMMUN2231LT1G ON Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

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NSVMMUN2231LT1G详情

技术参数

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ON Semiconductor NSVMMUN2231LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Lifecycle Status

    ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    318-08

  • Manufacturer Part Number

    NSVMMUN2231LT1G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.76

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益（hFE）

    8

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

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技术文档: ON Semiconductor NSVMMUN2231LT1G.

NSVMMUN2231LT1G拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS