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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.620129
10
¥1.528425
100
¥1.441912
500
¥1.360295
1000
¥1.283297
ON Semiconductor NSVMUN5233DW1T3G
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- 对比
NSVMUN5233DW1T3G
1807-NSVMUN5233DW1T3G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVMUN5233DW1T3G详情
ON Semiconductor NSVMUN5233DW1T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
250mW
功率 - 最大
250mW
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电阻基(R1)
4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVMUN5233DW1T3G拓展信息
ON Semiconductor
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