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价格梯度

内地含税价

1

￥3.951473
10

￥3.727805
100

￥3.516796
500

￥3.317732
1000

￥3.129934

ON Semiconductor NSVT30010MXV6T1G

Name: NSVT30010MXV6T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVT30010MXV6T1G
Price: 3.95 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVT30010MXV6T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVT30010MXV6T1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED PNP GP XTT

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NSVT30010MXV6T1G ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED PNP GP XTT

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NSVT30010MXV6T1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NSVT30010MXV6T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

2 Weeks
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
表面安装

YES
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
安装类型

表面贴装
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V
hFEMin

270
已出版

2011
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55°C~150°C TJ
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

500mW
引脚数量

6
极性

PNP
功率 - 最大

500mW
晶体管类型

2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

600mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA
转换频率

100MHz
频率转换

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

30V
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
辐射硬化

无
无铅

无铅

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NSVT30010MXV6T1G拓展信息

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