ON Semiconductor NTB23N03RT4G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

37.5W Tj

Turn Off Delay Time

9.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

25V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

23A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

37.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.76nC @ 4.5V

上升时间

14.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

23A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅