ON Semiconductor NTB30N20

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2W Ta 214W Tc

Turn Off Delay Time

82 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Ta

已出版

2005

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

200V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

30A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

214W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

81m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2335pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

88 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.081Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90A

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅