ON Semiconductor NTB45N06LT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 125W Tj

Turn Off Delay Time

36 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

电阻

26MOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

额定电流

45A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 22.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 5V

上升时间

341ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

158 ns

连续放电电流(ID)

45A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅