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'ntb52n10'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量	晶体管元件材料																							Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id		操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	子类别	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	最大耗散功率(Abs)
NTB52N10	ON SEMICONDUCTOR	数据表	395 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[object Object]	YES	3	2	SILICON			150°C	1						e0			1 (Unlimited)		EAR99	Tin/Lead (Sn80Pb20)					SINGLE	鸥翼	235		未说明	R-PSSO-G2	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING						N-CHANNEL				52A	0.03Ohm		156A	100V	800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	178W		not_compliant	Non-RoHS Compliant
NTB52N10	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON		1									e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	2		锡铅					SINGLE	鸥翼	235		未说明	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING						N-CHANNEL				52A	0.03Ohm		156A	100V	800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR				Non-RoHS Compliant
NTB52N10T4G	ON Semiconductor	数据表	1400 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON		52A Tc	10V	1	2W Ta 178W Tc	74 ns		4V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)				100V		鸥翼	未说明	52A	未说明	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	178W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	30m Ω @ 26A, 10V	3150pF @ 25V	135nC @ 10V	95ns	±20V		100 ns	52A	20V			100V			800 mJ				符合RoHS标准	无铅
NTB52N10G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON		52A Tc	10V	1	2W Ta 178W Tc	74 ns		4V @ 250μA		-55°C~150°C TJ	Tube	2002	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)				100V		鸥翼	未说明	52A	未说明	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	178W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	30m Ω @ 26A, 10V	3150pF @ 25V	135nC @ 10V	95ns	±20V		100 ns	52A	20V			100V			800 mJ				符合RoHS标准	无铅
NTB52N10T4	ON Semiconductor	数据表	32000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	2	SILICON	100 V	Compliant	74 ns	CASE 418B-04, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	CASE 418B-04	30	150 °C	无	NTB52N10T4	RECTANGULAR	安森美半导体	1	Obsolete	ON SEMICONDUCTOR	5.18	52 A							Bulk		e0					EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	150 °C	-55 °C	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	240	52 A		R-PSSO-G2	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	增强型MOSFET	178 W	DRAIN		SWITCHING				95 ns	N-CHANNEL		52 A	20 V	52 A	0.03 Ω	100 V	156 A	100 V	800 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	178 W	30 mΩ	not_compliant	含铅