ON Semiconductor NTB5605PT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

88W Tc

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

额定电流

-18.5A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

88W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 8.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 5V

上升时间

122ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

18.5A

阈值电压

-1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

55A

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅