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'ntb65n02'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	HTS代码	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	达到SVHC	RoHS状态	无铅
NTB65N02R	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	65A Tc	4.5V 10V	1	1.04W Ta 62.5W Tc	14 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2009	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	8541.29.00.95	25V		鸥翼	235	65A	未说明	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	62.5W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	8.2m Ω @ 30A, 10V	1330pF @ 20V	9.5nC @ 4.5V			±20V		65A	20V	7.6A	0.0105Ohm	24V	160A		60 mJ	not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
NTB65N02RT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	7.6A Tc	4.5V 10V	1	1.04W Ta 62.5W Tc	14 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)		24V		鸥翼	260	65A	40	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	1.86W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	8.2m Ω @ 30A, 10V	1330pF @ 20V	9.5nC @ 4.5V	53ns	25V	±20V	10 ns	7.6A	20V		0.0105Ohm	24V	160A		60 mJ		符合RoHS标准	无铅
NTB65N02RG	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	65A Tc	4.5V 10V	1	1.04W Ta 62.5W Tc	14 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2008	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)		25V		鸥翼	260	65A	未说明	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	62.5W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	8.2m Ω @ 30A, 10V	1330pF @ 20V	9.5nC @ 4.5V			±20V		65A	20V	7.6A	0.0105Ohm	24V	160A		60 mJ		符合RoHS标准	无铅
NTB65N02RT4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	65A Tc	4.5V 10V	1	1.04W Ta 62.5W Tc	14 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2012	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	8541.29.00.95	24V		鸥翼	240	65A	30	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	62.5W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	8.2m Ω @ 30A, 10V	1330pF @ 20V	9.5nC @ 4.5V	53ns	25V	±20V		65A	20V	7.6A	0.0105Ohm	24V	160A		60 mJ	not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
NTB65N02RT4G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	YES	3	SILICON	7.6A Tc	4.5V 10V	1	1.04W Ta 62.5W Tc		2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2		哑光锡			SINGLE	鸥翼	260		40	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	8.2m Ω @ 30A, 10V	1.33pF @ 20V	9.5nC @ 4.5V		25V	±20V				7.6A	0.0105Ohm		160A	25V	60 mJ		ROHS3 Compliant