ON Semiconductor NTB75N03-006

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

附加功能

超低电阻

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

75A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 37.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5635pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 5V

上升时间

130ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

105 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

225A

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅