ON Semiconductor NTB75N06L

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 214W Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Ta

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

60V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

75A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 37.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4370pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

92nC @ 5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

225A

雪崩能量等级（Eas）

844 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅