对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 雪崩能量等级(Eas) | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTB85N03G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 3 | SILICON | 85A Tc | 4.5V 10V | 1 | 80W Tc | 32 ns | 3V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tube | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin (Sn) | 28V | 鸥翼 | 260 | 85A | 未说明 | R-PSSO-G2 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 80W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 6.8m Ω @ 40A, 10V | 2150pF @ 24V | 29nC @ 4.5V | 22ns | ±20V | 30 ns | 85A | 20V | 15A | 0.0068Ohm | 28V | 45A | 61 mJ | 符合RoHS标准 | 无铅 |



哦! 它是空的。