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'ntd18n061g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

HTS代码

电压 - 额定直流

最大功率耗散

技术

端子位置

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

最大电源电压

最小电源电压

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

最小复位阈值电压

最大复位阈值电压

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管特性

RoHS状态

无铅

NTD18N06-1G

AMI Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

6

I-PAK

无

Compliant

Lead free / RoHS Compliant

18A (Ta)

10V

2.1W (Ta), 55W (Tj)

4V @ 250µA

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

1 (Unlimited)

85 °C

-40 °C

696 mW

MOSFET (Metal Oxide)

5.5 V

0 V

N-Channel

60 mOhm @ 9A, 10V

710pF @ 25V

30nC @ 10V

60V

±20V

2.55 V

2.7 V

-

NTD18N06-1G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

3

SILICON

10V

1

2.1W Ta 55W Tj

19 ns

4V @ 250μA

18A Ta

-55°C~175°C TJ

Tube

2006

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

3

Tin (Sn)

8541.29.00.95

60V

未说明

18A

未说明

不合格

Single

增强型MOSFET

55W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

60m Ω @ 9A, 10V

710pF @ 25V

30nC @ 10V

23ns

±20V

20 ns

18A

20V

0.06Ohm

60V

54A

72 mJ

符合RoHS标准

无铅

NTD18N06-1G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

3

SILICON

1

2.1W Ta 55W Tj

18A Ta

4V @ 250μA

10V

-55°C~175°C TJ

Tube

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

哑光锡

SINGLE

未说明

未说明

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

60m Ω @ 9A, 10V

710pF @ 25V

30nC @ 10V

60V

±20V

18A

0.06Ohm

54A

60V

72 mJ

ROHS3 Compliant