ON Semiconductor NTD23N03RT4G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta 17.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.14W Ta 22.3W Tc

Turn Off Delay Time

9.9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

终端形式

鸥翼

额定电流

23A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

22.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.76nC @ 4.5V

上升时间

14.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

23A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

漏源击穿电压

25V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅