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'ntd24n06t4'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

HTS代码

子类别

电压 - 额定直流

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs（最大值）

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTD24N06T4

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

2

SILICON

CASE 369C-01, DPAK-3

小概要

1

PLASTIC/EPOXY

CASE 369C-01

未说明

175 °C

无

NTD24N06T4

RECTANGULAR

安森美半导体

1

Obsolete

ON SEMICONDUCTOR

5.29

24 A

e0

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.29.00.95

FET 通用电源

SINGLE

鸥翼

235

R-PSSO-G2

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

24 A

0.042 Ω

80 A

60 V

162 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

62.5 W

not_compliant

NTD24N06T4G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

17 Weeks

Tin

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

1

1.36W Ta 62.5W Tj

25 ns

24A Ta

10V

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2005

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

36mOhm

60V

鸥翼

24A

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

62.5W

DRAIN

10 ns

N-Channel

SWITCHING

42m Ω @ 10A, 10V

1200pF @ 25V

48nC @ 10V

24ns

±20V

27 ns

24A

20V

60V

80A

2.38mm

6.73mm

6.22mm

无

ROHS3 Compliant

无铅