ON Semiconductor NTD25P03L

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

-30 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

15 ns

Package Description

CASE 369C-01, DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Time

30

Manufacturer Package Code

369C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

NTD25P03L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

25 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-25 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

37 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-25 A

栅极至源极电压(Vgs)

15 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25 A

漏极-源极导通最大电阻

0.08 Ω

漏源击穿电压

-30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75 A

输入电容

1.26 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

漏源电阻

51 mΩ

无铅

含铅