ON Semiconductor NTD25P03LG

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W Tj

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-25A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 25A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1260pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

上升时间

37ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

25A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

栅源电压

-1.6 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅