ON Semiconductor NTD2955-1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

55W Tj

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

155MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

额定电流

-12A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

45ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

-2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

栅源电压

-2.8 V

高度

6.35mm

长度

6.73mm

宽度

2.38mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅