ON Semiconductor NTD2955G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

55W Tj

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

155MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

额定电流

-12A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

45ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

-2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

栅源电压

-2.8 V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅