ON Semiconductor NTD3055-094T4G

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

25.2 ns

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 48W Tj

Number of Elements

1

已出版

2002

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

94MOhm

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

94m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

32.3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23.9 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

2.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.38mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅