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'ntd30551501g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

电压 - 额定直流

端子位置

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

RoHS状态

无铅

NTD3055-150-1G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

4

SILICON

9A Ta

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

12.2 ns

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2006

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

60V

未说明

9A

未说明

R-PSIP-T3

不合格

Single

增强型MOSFET

28.8W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

37.1ns

±20V

23 ns

9A

20V

9A

0.15Ohm

60V

27A

30 mJ

符合RoHS标准

无铅

NTD3055-150-1G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

3

SILICON

10V

1

1.5W Ta 28.8W Tj

9A Ta

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

哑光锡

SINGLE

未说明

未说明

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

150m Ω @ 4.5A, 10V

280pF @ 25V

15nC @ 10V

60V

±20V

9A

0.15Ohm

27A

60V

30 mJ

ROHS3 Compliant