登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

显示的结果

'ntd3808nt4g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

连续放电电流(ID)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTD3808NT4G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

3

SILICON

12A Ta 76A Tc

4.5V 10V

1

1.3W Ta 52W Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

5.8m Ω @ 15A, 10V

1660pF @ 12V

21nC @ 4.5V

16V

±16V

76A

12A

0.0085Ohm

152A

16V

29.4 mJ

符合RoHS标准

无铅

NTD3808NT4G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

3

SILICON

12A Ta 76A Tc

4.5V 10V

1

1.3W Ta 52W Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

2

TIN

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

5.8m Ω @ 15A, 10V

1.66pF @ 12V

21nC @ 4.5V

16V

±16V

12A

0.0085Ohm

152A

16V

29.4 mJ

unknown

ROHS3 Compliant