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'ntd3813n35g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

连续放电电流(ID)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

RoHS状态

无铅

NTD3813N-35G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

3

SILICON

1.2W Ta 34.9W Tc

9.6A Ta 51A Tc

4.5V 10V

1

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2007

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

8.75m Ω @ 15A, 10V

963pF @ 12V

12.8nC @ 4.5V

16V

±16V

51A

9.6A

0.0145Ohm

114A

16V

15 mJ

符合RoHS标准

无铅

NTD3813N-35G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

YES

3

SILICON

1

1.2W Ta 34.9W Tc

9.6A Ta 51A Tc

4.5V 10V

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

TIN

SINGLE

鸥翼

未说明

未说明

R-PSSO-G3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

8.75m Ω @ 15A, 10V

963pF @ 12V

12.8nC @ 4.5V

16V

±16V

9.6A

0.0145Ohm

114A

16V

15 mJ

ROHS3 Compliant