ON Semiconductor NTD3813N-35G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.6A Ta 51A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.2W Ta 34.9W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.75m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

963pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

16V

Vgs（最大值）

±16V

连续放电电流(ID)

51A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.0145Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

114A

DS 击穿电压-最小值

16V

雪崩能量等级（Eas）

15 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅