ON Semiconductor NTD4302T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.4A Ta 68A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.04W Ta 75W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.8MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

68A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

18.5A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

雪崩能量等级（Eas）

722 mJ

栅源电压

1.9 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅