ON Semiconductor NTD4809N-1G

生命周期状态

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安装类型

通孔

表面安装

NO

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.6A Ta 58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

25.3 ns

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta 52W Tc

已出版

2008

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1456pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

上升时间

22.7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

58A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅