ON Semiconductor NTD4809NT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.6A Ta 58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta 52W Tc

Turn Off Delay Time

25.3 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

9MOhm

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1456pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 11.5V

上升时间

22.7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.8 ns

连续放电电流(ID)

58A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

30V

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅