ON Semiconductor NTD4810NHT4G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta 54A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.28W Ta 50W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

265

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSFM-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1225pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

54A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.0167Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

66 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅