ON Semiconductor NTD4857N-1G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

4

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 78A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.31W Ta 56.6W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1960pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 4.5V

上升时间

18.7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

14.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅