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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.368888
10
¥8.838576
100
¥8.338278
500
¥7.866298
1000
¥7.421037
ON Semiconductor NTD4858NT4G
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- 对比
NTD4858NT4G
1807-NTD4858NT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTD4858NT4G详情
ON Semiconductor NTD4858NT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.2A Ta 73A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta 54.5W Tc
Turn Off Delay Time
23.8 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
6.2MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
鸥翼
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1563pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.2nC @ 4.5V
上升时间
17.3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.8 ns
连续放电电流(ID)
13.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
73A
漏源击穿电压
25V
高度
2.38mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTD4858NT4G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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