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'ntd4860n35g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

资历状况

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏源击穿电压

雪崩能量等级(Eas)

RoHS状态

无铅

NTD4860N-35G
NTD4860N-35G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NO

3

SILICON

1.28W Ta 50W Tc

22 ns

10.4A Ta 65A Tc

4.5V 10V

1

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2007

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

未说明

未说明

不合格

Single

增强型MOSFET

2W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

7.5m Ω @ 30A, 10V

1308pF @ 12V

16.5nC @ 4.5V

17ns

±20V

2.3 ns

12.6A

20V

65A

25V

84.5 mJ

符合RoHS标准

无铅