对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | RoHS状态 | 无铅 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTD4906N-1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 4 | 1.38W Ta 37.5W Tc | 1 | 4.5V 10V | 10.3A Ta 54A Tc | 2.2V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2010 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | Single | 2.6W | N-Channel | 5.5m Ω @ 30A, 10V | 1932pF @ 15V | 24nC @ 10V | ±20V | 54A | 20V | 30V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4906N-1G | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | NO | 3 | SILICON | 1.38W Ta 37.5W Tc | 10.3A Ta 54A Tc | 4.5V 10V | 1 | 2.2V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | 哑光锡 | SINGLE | 未说明 | 未说明 | R-PSIP-T3 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 5.5m Ω @ 30A, 10V | 1.932pF @ 15V | 24nC @ 10V | 30V | ±20V | 14A | 0.008Ohm | 223A | 30V | 48 mJ | ROHS3 Compliant |



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