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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏源击穿电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD4960N-1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 4 | SILICON | 8.9A Ta 55A Tc | 4.5V 10V | 1 | 1.07W Ta 35.71W Tc | 15 ns | 2.5V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2010 | e3 | yes | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 8MOhm | Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | R-PSIP-T3 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 1.68W | DRAIN | 12 ns | N-Channel | SWITCHING | 8m Ω @ 30A, 10V | 1300pF @ 15V | 22nC @ 10V | 20ns | ±20V | 4 ns | 11.1A | 20V | 8.9A | 30V | 7.49mm | 6.73mm | 2.38mm | 符合RoHS标准 | 无铅 |
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