ON Semiconductor NTD4965NT4G

工厂交货时间

5 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 68A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.39W Ta

Turn Off Delay Time

18.9 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

38.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1710pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.2nC @ 4.5V

上升时间

34.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14.2 ns

连续放电电流(ID)

17.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

68A

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅