ON Semiconductor NTD4970N-1G

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

4

供应商器件包装

I-PAK

Number of Elements

1

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Tube

Base Product Number

NTD49

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A (Ta), 36A (Tc)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1.38 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

2.55 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

774 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2 nC @ 4.5 V

上升时间

27.6 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

连续放电电流(ID)

11.6 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

30 V

输入电容

774 pF

场效应管特性

-

漏源电阻

21 mΩ

最大rds

11 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅