ON Semiconductor NTD4970N-35G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Ta 36A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.38W Ta 24.6W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.55W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

774pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 4.5V

上升时间

27.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.7 ns

连续放电电流(ID)

11.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.5A

漏源击穿电压

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅