登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

显示的结果

'ntd5804n'

2结果

所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

端子位置

终端形式

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs（最大值）

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTD5804NG

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

SILICON

有

活跃

ON SEMICONDUCTOR

IN-LINE, R-PSIP-T3

CASE 369D-01

5.74

IN-LINE

RECTANGULAR

PLASTIC/EPOXY

175 °C

1

69 A

NTD5804NG

EAR99

SINGLE

THROUGH-HOLE

compliant

3

R-PSIP-T3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

69 A

0.0085 Ω

125 A

40 V

195 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

71 W

NTD5804NT4G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

4

SILICON

69A Tc

5V 10V

1

71W Tc

26.8 ns

3.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

1997

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

鸥翼

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

71W

DRAIN

11.8 ns

N-Channel

SWITCHING

8.5m Ω @ 30A, 10V

2850pF @ 25V

45nC @ 10V

18.7ns

±20V

5.9 ns

69A

2V

20V

0.0085Ohm

40V

2.38mm

6.73mm

6.22mm

无

无SVHC

符合RoHS标准

无铅