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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD5804NG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | NTD5804NG | 有 | 活跃 | ON SEMICONDUCTOR | IN-LINE, R-PSIP-T3 | CASE 369D-01 | 5.74 | IN-LINE | RECTANGULAR | PLASTIC/EPOXY | 175 °C | 1 | 69 A | EAR99 | SINGLE | THROUGH-HOLE | compliant | 3 | R-PSIP-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 69 A | 0.0085 Ω | 125 A | 40 V | 195 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 71 W |
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