ON Semiconductor NTD5862N-1G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

98A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

115W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

THROUGH-HOLE

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

115W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 45A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

82nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

98A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

90A

漏极-源极导通最大电阻

0.0057Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

335A

雪崩能量等级（Eas）

205 mJ

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅