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'ntd6416an'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	栅极至源极电压(Vgs)	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	雪崩能量等级（Eas）	栅源电压	高度	长度	宽度	辐射硬化	达到SVHC	RoHS状态	无铅
NTD6416AN-1G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA		I-PAK		17A Tc	10V	71W Tc			4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube				Obsolete	1 (Unlimited)															N-Channel		81mOhm @ 17A, 10V	620pF @ 25V	20nC @ 10V		100V	±20V														ROHS3 Compliant
NTD6416ANL-1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	NO	4		SILICON	19A Tc	4.5V 10V	1	71W Tc	35 ns	2.2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	2009	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	1 (Unlimited)	3	EAR99		Tin (Sn)					R-PSFM-T3	Single	增强型MOSFET	71W	DRAIN	7 ns	N-Channel	SWITCHING	74m Ω @ 19A, 10V	1000pF @ 25V	40nC @ 10V	16ns		±20V	40 ns	19A		20V	100V	70A	50 mJ		7.62mm	6.73mm	2.38mm	无		符合RoHS标准	无铅
NTD6416ANL-1G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA		I-PAK		19A Tc	4.5V 10V	71W Tc			2.2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube				Obsolete	1 (Unlimited)															N-Channel		74mOhm @ 19A, 10V	1pF @ 25V	40nC @ 10V		100V	±20V														ROHS3 Compliant
NTD6416AN-1G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	NO	4		SILICON	17A Tc	10V	1	71W Tc	24 ns	4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	2009	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)	1 (Unlimited)	3	EAR99	81MOhm	Tin (Sn)					R-PSIP-T3	Single	增强型MOSFET	71W	DRAIN	9.2 ns	N-Channel		81m Ω @ 17A, 10V	620pF @ 25V	20nC @ 10V	22ns		±20V	20 ns	17A		20V	100V	62A			7.62mm	6.73mm	2.38mm	无		符合RoHS标准	无铅
NTD6416ANT-VB	VBsemi Elec	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
NTD6416ANT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	15 Weeks	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	4		SILICON	17A Tc	10V	1	71W Tc	24 ns	4V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin (Sn)		鸥翼			R-PSSO-G2	Single	增强型MOSFET	71W	DRAIN	9.2 ns	N-Channel		81m Ω @ 17A, 10V	620pF @ 25V	20nC @ 10V	22ns	100V	±20V	20 ns	17A	2V	20V		62A			2.38mm	6.73mm	6.22mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
NTD6416ANLT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5 Weeks	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	4		SILICON	19A Tc	4.5V 10V	1	71W Tc	35 ns	2.2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2009	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	74MOhm	Tin (Sn)	DUAL	鸥翼	260	40	R-PDSO-G2	Single	增强型MOSFET	71W	DRAIN	7 ns	N-Channel	SWITCHING	74m Ω @ 19A, 10V	1000pF @ 25V	40nC @ 10V	16ns		±20V	40 ns	19A	2.2V	20V	100V	70A	50 mJ	2.2 V	2.38mm	6.73mm	6.22mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅