'ntd6416anl1g'
2结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 雪崩能量等级(Eas) | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTD6416ANL-1G | ON Semiconductor | 数据表 | 95000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | NO | 4 | SILICON | 19A Tc | 4.5V 10V | 1 | 71W Tc | 35 ns | 2.2V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2009 | e3 | yes | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | R-PSFM-T3 | Single | 增强型MOSFET | 71W | DRAIN | 7 ns | N-Channel | SWITCHING | 74m Ω @ 19A, 10V | 1000pF @ 25V | 40nC @ 10V | 16ns | ±20V | 40 ns | 19A | 20V | 100V | 70A | 50 mJ | 7.62mm | 6.73mm | 2.38mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||
![]() | NTD6416ANL-1G | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 19A Tc | 4.5V 10V | 71W Tc | 2.2V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | N-Channel | 74mOhm @ 19A, 10V | 1pF @ 25V | 40nC @ 10V | 100V | ±20V | ROHS3 Compliant |



哦! 它是空的。