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'ntd6416anl1g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级(Eas)

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

NTD6416ANL-1G
NTD6416ANL-1G
ON Semiconductor 数据表

95000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

4

SILICON

19A Tc

4.5V 10V

1

71W Tc

35 ns

2.2V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2009

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

R-PSFM-T3

Single

增强型MOSFET

71W

DRAIN

7 ns

N-Channel

SWITCHING

74m Ω @ 19A, 10V

1000pF @ 25V

40nC @ 10V

16ns

±20V

40 ns

19A

20V

100V

70A

50 mJ

7.62mm

6.73mm

2.38mm

无

符合RoHS标准

无铅

NTD6416ANL-1G
NTD6416ANL-1G
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

I-PAK

19A Tc

4.5V 10V

71W Tc

2.2V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

N-Channel

74mOhm @ 19A, 10V

1pF @ 25V

40nC @ 10V

100V

±20V

ROHS3 Compliant