ON Semiconductor NTD80N02-001

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

24V

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 4.5V

上升时间

67ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0058Ohm

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

733 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅