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'ntd80n02g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

HTS代码

电压 - 额定直流

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级(Eas)

RoHS状态

无铅

NTD80N02G
NTD80N02G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

3

SILICON

80A Tc

4.5V 10V

1

75W Tc

28 ns

3V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tube

2009

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

2

Tin (Sn)

8541.29.00.95

24V

鸥翼

260

80A

40

R-PSSO-G2

不合格

Single

增强型MOSFET

75W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

5.8m Ω @ 80A, 10V

2600pF @ 20V

42nC @ 4.5V

67ns

±20V

40 ns

80A

20V

0.0058Ohm

24V

200A

733 mJ

符合RoHS标准

无铅