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'ntd85n02'

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category.单MOSFET晶体管 (10)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	HTS代码	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		NTD85N02R	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63		3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc	25 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2007	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2		Tin/Lead (Sn/Pb)	8541.29.00.95	24V		鸥翼	240	85A	30	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	2.4W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2050pF @ 20V	17.7nC @ 5V	77ns		±20V	12 ns	85A	20V	12A	0.0052Ohm	24V	192A		85 mJ	not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTD85N02RG	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63		3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc	25 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2007	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)		24V		鸥翼	260	85A	40	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	2.4W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2050pF @ 20V	17.7nC @ 5V	77ns		±20V	12 ns	85A	20V	12A	0.0052Ohm	24V	192A		85 mJ		符合RoHS标准	无铅
		NTD85N02R-1G	ON Semiconductor	数据表	50000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA		4	SILICON	4.5V 10V	12A Ta 85A Tc	25 ns	1.25W Ta 78.1W Tc	1	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2007	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	3	EAR99	Tin (Sn)		24V			260	85A	40	R-PSIP-T3	不合格		Single	增强型MOSFET	2.4W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2050pF @ 20V	17.7nC @ 5V	77ns		±20V	12 ns	85A	20V	12A	0.0052Ohm	24V	192A		85 mJ		符合RoHS标准	无铅
		NTD85N02RT4	ON Semiconductor	数据表	335879 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63		3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc	25 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2		Tin/Lead (Sn/Pb)	8541.29.00.95	24V		鸥翼	240	85A	30	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	2.4W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2050pF @ 20V	17.7nC @ 5V	77ns		±20V	12 ns	85A	20V	12A	0.0052Ohm	24V	192A		85 mJ	not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTD85N02RT4	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc		2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	2		锡铅			SINGLE	鸥翼	240		30	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2.05pF @ 20V	17.7nC @ 5V		24V	±20V				85A	0.0052Ohm		192A	24V	85 mJ		Non-RoHS Compliant
		NTD85N02R-1G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	NO	3	SILICON	1.25W Ta 78.1W Tc	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1		2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube		e3	no	Obsolete	1 (Unlimited)	3		哑光锡			SINGLE		260		40	R-PSIP-T3	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2.05pF @ 20V	17.7nC @ 5V		24V	±20V				85A	0.0052Ohm		192A	24V	85 mJ		ROHS3 Compliant
		NTD85N02RT4G	ON Semiconductor	数据表	400 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63		4	SILICON	25 ns	1.25W Ta 78.1W Tc	1	4.5V 10V	12A Ta 85A Tc	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)		24V		鸥翼	260	85A	40	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	2.4W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2050pF @ 20V	17.7nC @ 5V	77ns		±20V	12 ns	85A	20V		0.0052Ohm	24V			85 mJ		符合RoHS标准	无铅
		NTD85N02R-001	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	NO	3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc		2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube		e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	3		锡铅			SINGLE		240		30	R-PSIP-T3	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2.05pF @ 20V	17.7nC @ 5V		24V	±20V				85A	0.0052Ohm		192A	24V	85 mJ		Non-RoHS Compliant
		NTD85N02R-001	ON Semiconductor	数据表	58763 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		通孔	通孔	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA		3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc	25 ns	2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2007	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	3	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)		24V			240	85A	30		不合格		Single	增强型MOSFET	2.4W	DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2050pF @ 20V	17.7nC @ 5V	77ns		±20V	12 ns	85A	20V		0.0052Ohm	24V	192A		85 mJ	not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTD85N02RT4G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	3	SILICON	12A Ta 85A Tc	4.5V 10V	1	1.25W Ta 78.1W Tc		2V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2		哑光锡			SINGLE	鸥翼	260		40	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	5.2m Ω @ 20A, 10V	2.05pF @ 20V	17.7nC @ 5V		24V	±20V				85A	0.0052Ohm		192A	24V	85 mJ		ROHS3 Compliant