ON Semiconductor NTE4153NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

915mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300mW Tj

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

230MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

915mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

3.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 600mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.82nC @ 4.5V

上升时间

4.4ns

Vgs（最大值）

±6V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

915mA

阈值电压

760mV

栅极至源极电压(Vgs)

6V

漏源击穿电压

20V

栅源电压

760 mV

高度

800μm

长度

1.7mm

宽度

950μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅