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'ntf6p02'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

电压 - 额定直流

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

双电源电压

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

漏源电阻

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NTF6P02T3

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

4

4

SILICON

75 ns

Non-Compliant

-20 V

CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN

小概要

3

PLASTIC/EPOXY

CASE 318E-04

30

150 °C

无

NTF6P02T3

RECTANGULAR

安森美半导体

1

Obsolete

ON SEMICONDUCTOR

5.44

TO-261AA

10 A

Bulk

e0

Tin/Lead (Sn/Pb)

150 °C

-55 °C

雪崩额定

8541.29.00.95

其他晶体管

DUAL

鸥翼

240

-6 A

R-PDSO-G4

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

8.3 W

DRAIN

SWITCHING

25 ns

P-CHANNEL

-10 A

TO-261AA

8 V

10 A

0.05 Ω

-20 V

35 A

20 V

150 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

8.3 W

44 mΩ

not_compliant

含铅

NTF6P02T3G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

表面贴装

TO-261-4, TO-261AA

YES

4

SILICON

10A Ta

2.5V 4.5V

1

8.3W Ta

1V @ 250μA

75 ns

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2007

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

1 (Unlimited)

4

SMD/SMT

EAR99

44MOhm

Tin (Sn)

雪崩额定

-20V

DUAL

鸥翼

260

-6A

40

Single

增强型MOSFET

8.3W

DRAIN

7 ns

P-Channel

SWITCHING

50m Ω @ 6A, 4.5V

1200pF @ 16V

20nC @ 4.5V

25ns

20V

±8V

50 ns

10A

-700mV

8V

-20V

35A

-20V

1.65mm

6.7mm

3.7mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NTF6P02T3G-VB

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1