ON Semiconductor NTGS3130NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.23A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

Turn Off Delay Time

21.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.1W

接通延迟时间

6.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 5.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

935pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20.3nC @ 4.5V

上升时间

7.3ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

7.3 ns

连续放电电流(ID)

5.6A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.024Ohm

漏源击穿电压

20V

高度

1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅