ON Semiconductor NTGS3447PT1G
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NTGS3447PT1G
1807-NTGS3447PT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP
1最小包装量--
NTGS3447PT1G详情
ON Semiconductor NTGS3447PT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 4.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1053pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
连续放电电流(ID)
3.4A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.0034A
漏极-源极导通最大电阻
0.072Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTGS3447PT1G拓展信息
ON Semiconductor
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